HardZone – Las tres grandes novedades de KIOXIA sobre la memoria en el IEDM
Muchas de las compañías dedicadas al desarrollo de hardware están comprometidas con las labores de investigación para encontrar nuevas tecnologías que son capaces de superar en rendimiento y eficiencia a las que podemos encontrar actualmente. Y esta vez una de las que lideran el sector de la memoria, Kioxia, ha conseguido un puesto para presentar todos sus avances en una de las exposiciones tecnológicas más grandes que hay, el IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), donde podremos ver las propuestas que tienen relacionadas con la memoria de los dispositivos electrónicos.
Hay muchos eventos que son extremadamente grandes y que nos permiten conocer en detalle lo que podremos encontrar en un futuro, pero si queremos hablar de avances tecnológicos centrados en los semiconductores y todas sus aplicaciones, está claro que uno de los más importantes es el IEDM. Durante este evento Kioxia presentará tres grandes novedades que buscarán convertir la forma en la que se aplican los conceptos de desarrollo de memorias, y es que introducirán un nuevo tipo de DRAM; MRAM adecuada para mayores capacidades para aplicaciones SCM; y una estructura de memoria flash 3D con una densidad y rendimiento muy superiores.
Kioxia busca revolucionar las tecnologías relacionadas con la memoria
Desde Kioxia conocen cuales son las necesidades actuales en términos de memoria, motivo por el que han trabajado en tres avances clave, que presentarán durante el IEDM que se celebrará entre el 7 y el 11 de diciembre en San Francisco, a continuación os indicamos cuales son y qué novedades traerán.
DRAM de transistor de canal semiconductor de óxido (OCTRAM)
Uno de los principales aspectos que la compañía quiere dejar claro es que hay formas de mejorar el rendimiento y la eficiencia de los sistemas que hay actualmente, motivo por el que han colaborado con Nanya Technology para desarrollar el OCTRAM. Esta tecnología consiste en un transistor vertical que potencia la integración de circuitos al mejorar el proceso de fabricación, consiguiendo una fuga de corriente realmente baja al sacar a la luz las propiedades del transistor utilizando un semiconductor de óxido, esto permitiría reducir en gran medida el consumo de energía en una gran variedad de aplicaciones, como los sistemas IA y los productos IoT.
Tecnología High-Capacity Crosspoint MRAM
Una de las tecnologías más importantes que podemos encontrar a nivel de IA y de procesamiento de macrodatos, desarrollada en conjunto con SK Hynix, el objetivo era conseguir un funcionamiento de lectura/escritura de celdas a una escala extremadamente pequeña. El mayor problema que hay a la hora de hacer esto está en que la fiabilidad de la memoria tiende a degradarse a medida que las celdas se hacen más pequeñas, por lo que han desarrollador una posible solución que utiliza un nuevo método de lectura que reduce este problema en gran medida.
Tecnología de memoria 3D de próxima generación con estructura de apilamiento horizontal de celdas
Kioxia ha desarrollado una nueva estructura 3D para mejorar la fiabilidad y evitar la degradación del rendimiento de las celdas de tipo NAND. La degradación del rendimiento suele producirse cuando aumenta el número de capas apiladas en las estructuras convencionales. La nueva estructura dispone las celdas de tipo NAND horizontalmente apilándolas en comparación con la estructura convencional de disposición vertical de las celdas de tipo NAND. Esta estructura permite realizar memorias flash 3D con alta densidad de bits y fiabilidad a bajo coste.
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